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日本理光thermo紅外線導入加熱裝置GV系列

日本理光thermo紅外線導入加熱裝置GV系列

產(chǎn)品型號:

所屬分類:

產(chǎn)品時間:2024-09-05

簡要描述:日本理光thermo紅外線導入加熱裝置GV系列
將樣品放置在各種氣氛中,例如超高真空或氣流中,并且精確地輻射紅外線以快速加熱樣品而不會發(fā)生接觸。
它可以輕松連接到真空系統(tǒng)或分析儀。

詳細說明:

日本理光thermo紅外線導入加熱裝置GV系列

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將樣品放置在各種氣氛中,例如超高真空或氣流中,并且精確地輻射紅外線以快速加熱樣品而不會發(fā)生接觸。

它可以輕松連接到真空系統(tǒng)或分析儀。
Thermo Riko的主要型號。
 
 
快速升溫:gao加熱速度為150℃/ sec,1500℃持續(xù)約1min
清潔加熱:無需擔心熱源或電磁感應產(chǎn)生的氣體
局部供暖:僅用紅外光照射樣品,不加熱周圍區(qū)域
可附加:可以安裝在各種系統(tǒng)上
 
 
硅和碳化硅等樣品的高速加熱和退火
在氧化氣氛中形成氧化物晶體,形成薄膜
在氫氣或氮氣中加熱基材
X射線或UV照射期間樣品的溫度升高
解吸氣體分析儀,XPS,XRD,PLD等的加熱
磁場加熱,非磁場加熱
在加壓氣氛中加熱
通過對樣品施加載荷來加熱
 
 
   紅外線感應加熱裝置根據(jù)應用具有以下規(guī)格。 
  
 超高真空型支持 10 -9 Pa的超高真空。
 高速加熱型 大升溫速度為150℃/秒。
 常溫加熱型 可以對放置在大氣中的樣品進行點加熱。
 加壓氣氛類型 可以加熱壓力在10個大氣壓以下的樣品。
 特殊規(guī)格 通過利用GV系列的功能,我們可以響應各種需求,例如快速冷卻,負載加熱和磁場加熱。
 請隨時與我們聯(lián)系。
 符合CE標志 我們還生產(chǎn)符合CE標志的規(guī)范。

原理圖

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 超高真空型GVH
 
型號名稱GVH198GVH298
 紅外燈額定值1千瓦2千瓦
 達到gao溫度1200°攝氏度1400°攝氏度
 加熱面積φ20毫米
 大加熱速度1℃/秒
 大極限真空5×10 -9
 冷凍水量1升/分鐘2升/分鐘
 
 高速加熱型GV / GVL
 
型號名稱GV154GV198GVL298GVL398
 紅外燈額定值500瓦1千瓦2千瓦3千瓦
 達到gao溫度1100°攝氏度1300°攝氏度1500°攝氏度1600°攝氏度
 加熱面積φ14毫米φ20毫米
 大加熱速度100°C /秒100-150°C /秒
 大極限真空5×10 -7
 冷凍水量1升/分鐘2升/分鐘
 
 加壓氣氛類型GVP
 
型號名稱GVP198GVP298
 紅外燈額定值1千瓦2千瓦
 達到gao溫度1200°攝氏度1300°攝氏度
 加熱面積 φ20毫米
 大加熱速度 100°C /秒
 大耐壓 1MPa以下
 冷凍水量1升/分鐘2升/分鐘
 


日本理光thermo紅外線導入加熱裝置GV系列 

  
 
 
  
快速退火紅外感應加熱系統(tǒng)GV1 / GV2
底部照射型紅外熱處理設備RTA198 / RTA298
熱脫附氣體分析儀GV2H
紅外感應加熱系統(tǒng),用于在磁場中加熱樣品GVL298M / GV154M / GV-M 1
用于X射線形貌的紅外感應加熱裝置
XPS設備安裝示例
 
  
 
  
 
  
它由紅外線引入單元,多端口真空室,溫度控制器等組成,可以在高真空下對樣品進行超高溫加熱。
由于它具有許多端口,因此可以用于各種實驗。
 
可以進行干凈的加熱,并且可以通過打開和關閉真空室的前門來取出和取出樣品。
 
[應用]-
真空/氣體氣氛中樣品的連續(xù)升溫/降溫控制-樣品前
表面加熱/后表面冷卻的快速升溫/降溫測試(可選)
-加壓氣氛中的加熱(可選)
 
型號名稱GV1GV2
 紅外燈額定值1千瓦2千瓦
 達到gao溫度1300°攝氏度1500°攝氏度
 加熱面積?φ20毫米
 大加熱速度100-150°C /秒
 大極限真空5×10 -5
 冷凍水量1升/分鐘2升/分鐘
 
 
 
  
它由紅外線感應加熱裝置,小型真空室,溫度測量樣品部件和恒溫控制器組成。
 
通過用來自底部的紅外線在真空室中照射樣品,可以進行干凈的加熱和樣品的快速退火。
樣品室頂部的觀察窗可讓您在樣品升溫時對其進行觀察和拍照。
 
型號名稱RTA198RTA298
 紅外燈額定值1千瓦2千瓦
 達到gao溫度900-1000°C1000-1300°攝氏度
 加熱面積?φ20毫米
 大極限真空5×10 -35×10 -5帕 
 冷凍水量1升/分鐘2升/分鐘
 
  
 
 
  
它由超高真空型紅外感應加熱設備,超高真空室,質(zhì)譜儀,電源/安全電路單元和真空排氣設備組成,并且可以對從高溫樣品中產(chǎn)生的痕量氣體進行質(zhì)量分析。 ..
 
紅外線源加熱裝置在真空室內(nèi)具有熱源,不產(chǎn)生氣體,可以進行干凈的加熱,并且可以進行高精度的分析。
 
型號名稱GV2H
 紅外燈額定值2千瓦
 達到gao溫度1500°攝氏度
 加熱面積φ15毫米
 大極限真空5×10 -6帕 
 目的地京都大學
 
 
 
  
也適用于在磁場中對樣品進行熱處理。
[特性]
-由于被光加熱,所以是干凈的加熱,不影響
樣品上的電磁感應。-只能精確地加熱樣品,不能加熱磁體
 
也可以在磁場中的真空/氣體氣氛中升高溫度。
它可以連接到各種電磁體和超導磁體上。
 
加熱后的樣品與可控氣氛的石英芯管一起插入磁體孔中。
當樣品溫度為1000℃時,孔的內(nèi)壁溫度為40℃以下。
 
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在高真空下進行X射線照射期間,樣品被加熱到超高溫。
(紅外線從左上對角線方向和右下對角線方向發(fā)出,X線從左水平方向上發(fā)出。)
 
真空室安裝在XY工作臺,旋轉(zhuǎn)工作臺和旋轉(zhuǎn)工作臺上,在加熱,保持或冷卻樣品的同時,可以從任何角度進行晶體結構分析。
 
型號名稱GVL298-2S
 紅外燈額定值2千瓦x 2
 達到gao溫度1500°攝氏度
 加熱面積φ20毫米
 大極限真空5×10 -4帕 
 
 交貨地點:Spring-8
 
 
  
大量的紅外感應加熱設備與各種分析儀結合使用。
 
 
這是在XPS上安裝GVL298類型的示例。
通過紅外輻射加熱樣品,以去除樣品中包含的水和氣體并進行清潔。
通過超高真空中的傳輸桿將樣品傳輸?shù)秸掌覀?cè)的XPS分析室,然后用X射線照射進行表面分析。
  
 
 
 
 
 


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